”作為我省首批“鏈主”企業

　　“目前，揭榜掛帥科研人員已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，中電展實現了4英寸、項目性進6英寸碳化硅單晶片的突破激光剝離技術?！弊鳛槲沂∈着版溨鳌逼髽I，揭榜掛帥中國電子科技集團公司第二研究所(以下簡稱“中電科二所”)近日傳來好消息，中電展聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，項目性進科研團隊在激光剝離設備方面實現了大尺寸工藝迭代。突破

　　激光剝離設備正是揭榜掛帥有機結合了激光精密加工和晶體可控剝離，實現半導體晶體的中電展可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，項目性進加工時間減少50%以上，突破并實現晶體加工整線的揭榜掛帥高度自動化。

　　據介紹，中電展這項技術可應用于碳化硅、項目性進氮化鎵、金剛石等硬脆半導體材料的加工方面，實現襯底成本的大幅降低，也可擴展至電力電子與微波射頻芯片的制造、異質材料復合襯底的制造、集成電路先進封裝等領域，實現晶圓減薄、解鍵合等先進工藝，是支撐國防軍工、下一代移動通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯網等產業的創新發展及國家安全、新基建、雙碳經濟等國家重大戰略的實施，被譽為半導體材料制備領域的“光刻機”。

　　當前，中電科二所正牽頭推進第三代半導體技術創新研發。激光剝離項目是該所針對第三代半導體產業發展痛點與難點遴選的我市首批“揭榜掛帥”項目之一。揭榜立項后，科研團隊緊鑼密鼓展開技術攻關，從工藝摸索到設備研制，大家夜以繼日奮戰在科研一線，放開手腳發揮創新潛能。

　　經過科研人員的共同努力，目前，團隊已掌握激光剝離技術原理與工藝基礎，基于工藝與裝備的協同研發，實現了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得了突破性進展。據中電科二所有關負責人介紹，下一階段，激光剝離項目將以“大尺寸化、快速生產化、高良率化、全自動化、低能耗化”為目標，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動化設備貫線，真正解決第三代半導體中的關鍵技術問題，完成“揭榜掛帥”項目的任務要求。

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